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一种用于制备AMOLED的PECVD装置
审中-实审
权利转移

申请号:201410062827.5 申请日:2014-02-25
摘要:本发明提供了一种用于制备AMOLED的PECVD装置,通过真空环境的外腔和进行等离子体增强型化学气相沉积反应的内腔相互结合、对基板进行400-450℃的局部直接高温加热、采用间隔部件以及在腔体顶壁和底壁分别设置冷却机构等一系列技术手段实现了采用低温PECVD反应腔进行高温AMOLED工艺的技术效果,解决了传统方式中以铝作为反应腔腔体材料而面临的400-450℃高温环境下材料强度、刚度变差以及严重的热形变问题。
申请人: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 理想能源设备(上海)有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区张江居里路1号
发明(设计)人: 杨飞云 谭晓华 陈金元 徐升东 李朋 李一成 刘传生
主分类号: C23C16/44(2006.01)I
分类号: C23C16/44(2006.01)I
  • 法律状态
2017-04-26  专利申请权的转移 IPC(主分类):C23C 16/44登记生效日:20170401变更事项:申请人变更前权利人:上海理想万里晖薄膜设备有限公司变更后权利人:上海理想万里晖薄膜设备有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江居里路1号变更后权利人:201203 上海市松江区思贤路3255号3幢403室变更事项:申请人变更前权利人:理想能源设备(上海)有限公司
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/44申请日:20140225
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用于制备AMOLED的PECVD装置,包括:提供真空环境的外腔和进行等离子体增强型化学气相沉积反应的内腔,所述内腔包括:内腔腔体,采用防氟气腐蚀材料制造;气体喷淋头,设置于所述内腔腔体顶壁的内侧,用于提高工艺气体分布的均匀性;加热板,位于所述气体喷淋头的下方并设置于所述内腔腔体底壁的内侧,用于承载和直接加热待处理的基板;间隔部件,位于所述内腔腔体底壁的内侧,用于间隔开所述加热板和所述内腔腔体底壁,在减少二者之间热传递的同时实现导电的功能;第一冷却机构,位于内腔腔体顶壁外侧,用于冷却所述内腔腔体的顶壁;第二冷却机构,位于内腔腔体底壁外侧,用于冷却所述内腔腔体的底壁。
公开号  104862666A
公开日  2015-08-26
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