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一种平面TEM样品的制备方法
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申请号:201410058095.2 申请日:2014-02-20
摘要:本发明提供一种平面TEM样品的制备方法,至少包括以下步骤:提供一含有目标区域的样品,在所述目标区域下方和一侧距离为d1的位置分别做第一直线标记和第二直线标记;在与所述目标区域上方距离为d2的位置做第三直线标记;在所述第三直线标记的一端、与目标区域最小距离为d3的位置做等腰三角形标记;将上述样品进行截面切割;在目标区域上方两侧、与所述目标区域最小距离为d4的位置分别做第四直线标记和第五直线标记;在上述样品截面上沉积保护层;将所得到的样品进行平面TEM样品制备。整个制备过程中每一步骤都定位精确,大大节省了样品的制备时间,有效地提高了样品制备的成功率。
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区张江路18号
发明(设计)人: 赵耀斌 戴海波 李日鑫
主分类号: G01N1/28(2006.01)I
分类号: G01N1/28(2006.01)I
  • 法律状态
2017-08-25  授权
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):G01N 1/28申请日:20140220
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种平面TEM样品的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)提供一含有目标区域的样品,在所述目标区域下方和一侧距离为d1的位置分别做第一直线标记和第二直线标记;2)在与所述目标区域上方距离为d2的位置做第三直线标记;3)在所述第三直线标记的一端、与目标区域最小距离为d3的位置做等腰三角形标记;所述等腰三角形标记的高线与所述第三直线标记重合;4)沿所述高线与所述第三直线标记重合的位置将步骤3)所得到的样品进行截面切割;5)接着在目标区域上方两侧、与所述目标区域最小距离为d4的位置分别做第四直线标记和第五直线标记;6)在步骤5)所得到的样品截面上沉积一层保护层;7)将步骤6)所得到的的样品垂直放入FIB中进行平面TEM样品制备。
公开号  104865107A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  上海光华专利事务所 31219
代理人  李仪萍
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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