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异质层器件
审中-实审

申请号:201380080983.8 申请日:2013-12-18
摘要:实施例包括一种装置,包括:包括NMOS器件的N层,所述NMOS器件具有全都与平行于衬底的第一水平轴相交的N沟道、源极和漏极;包括PMOS器件的P层,所述PMOS器件具有全都与平行于所述衬底的第二水平轴相交的P沟道、源极和漏极;对应于N沟道、与所述第二水平轴相交的第一栅极;以及对应于P沟道、与所述第一水平轴相交的第二栅极。本文描述了其它实施例。
申请人: 英特尔公司
地址: 美国加利福尼亚
发明(设计)人: K·俊 P·莫罗
主分类号: H01L21/336(2006.01)I
分类号: H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-12-21  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20131218
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种装置,包括:包括NMOS器件的N层,所述NMOS器件具有全都与平行于衬底的第一水平轴相交的N沟道、源极和漏极;包括PMOS器件的P层,所述PMOS器件具有全都与平行于所述衬底的第二水平轴相交的P沟道、源极和漏极;对应于所述N沟道的第一栅极,所述第一栅极与所述第二水平轴相交;以及对应于所述P沟道的第二栅极,所述第二栅极与所述第一水平轴相交。
公开号  105723501A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  陈松涛 王英
颁证日  
优先权  
国际申请  2013-12-18 PCT/US2013/076197
国际公布  2015-06-25 WO2015/094239 EN
进入国家日期  2016.05.17