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通过增大有效栅极长度来改进栅极对晶体管沟道的控制的技术
审中-实审

申请号:201380080982.3 申请日:2013-12-18
摘要:公开了一种用于通过以在沟道与源极区和漏极区的界面处沉积栅极控制层(GCL)而增大有效电栅极长度(Leff)来改进晶体管的栅极对沟道的控制的技术。GCL是可以在使用替换S/D沉积形成晶体管时进行沉积的名义上未掺杂的层(或相对于重掺杂的S/D填充材料为大体上较低掺杂的层)。在已经形成S/D腔之后并且在沉积重掺杂的S/D填充材料之前,可以在S/D腔中选择性沉积GCL。以此方式,GCL减小了源极和漏极与栅极叠置体的下重叠(Xud)并且还将重掺杂的源极区和漏极区分离。这继而增大了有效电栅极长度(Leff)并且改进了栅极对沟道的控制。
申请人: 英特尔公司
地址: 美国加利福尼亚
发明(设计)人: A·S·默西 N·林德特 G·A·格拉斯
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-12-21  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20131218
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种晶体管器件,包括:具有沟道区的衬底;在所述沟道区之上的栅极叠置体,所述栅极叠置体包括栅极电极和栅极电介质;在所述衬底中并且邻近所述沟道区而形成的源极区和漏极区,所述源极区和所述漏极区包括掺杂的填充材料;以及在所述源极区和所述漏极区中的每个区中至少在所述掺杂的填充材料与所述沟道区之间形成的栅极控制层(GCL),其中,所述GCL不具有掺杂或者具有比所述掺杂的填充材料的水平低的最大掺杂水平。
公开号  105723515A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  陈松涛 王英
颁证日  
优先权  
国际申请  2013-12-18 PCT/US2013/076232
国际公布  2015-06-25 WO2015/094244 EN
进入国家日期  2016.05.17