用于半导体器件的双应变包覆层
审中-实审
申请号：201380080950.3 申请日：2013-12-16
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摘要：本发明描述了与用于半导体器件的双应变包覆层有关的技术和方法，以及并入了这样的半导体器件的系统。 |
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| 申请人： 英特尔公司 | |
| 地址： 美国加利福尼亚 | |
| 发明(设计)人： S·M·塞亚 R·科特利尔 H·W·肯内尔 K·J·库恩 T·加尼 | |
| 主分类号： H01L29/78(2006.01)I | |
| 分类号： H01L29/78(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I | |
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- 法律状态
| 2016-12-21 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20131216 |
| 2016-06-29 | 公开 |
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
- 其他信息
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；至少一个p型半导体主体和至少一个n型半导体主体，所述至少一个p型半导体主体和所述至少一个n型半导体主体两者设置在所述衬底之上，并且所述至少一个p型半导体主体和所述至少一个n型半导体主体两者具有包括SiGe的半导体材料，所述单个半导体主体具有设置在源极区与漏极区之间的沟道区；应变包覆层，所述应变包覆层设置在至少一个p型半导体主体和至少一个n型半导体主体的所述沟道区上，并且所述应变包覆层具有根据所述半导体主体是p型还是n型而不同的材料；栅极电介质层，所述栅极电介质层设置在所述包覆层之上；栅极电极，所述栅极电极设置在所述栅极电介质层之上；以及源极材料或漏极材料，所述源极材料或所述漏极材料分别设置在所述源极区和所述漏极区中的每个区域中。 |
| 公开号 | 105723514A |
| 公开日 | 2016-06-29 |
| 专利代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 |
| 代理人 | 陈松涛 王英 |
| 颁证日 | |
| 优先权 | |
| 国际申请 | 2013-12-16 PCT/US2013/075437 |
| 国际公布 | 2015-06-25 WO2015/094164 EN |
| 进入国家日期 | 2016.05.16 |
