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不具有驰豫衬底的NMOS和PMOS应变器件
审中-实审

申请号:201380080947.1 申请日:2013-12-16
摘要:本文的实施例提供了涉及不具有弛豫衬底的应变NMOS和PMOS器件的半导体器件和方法,以及因此合并这样的半导体器件和方法的系统。
申请人: 英特尔公司
地址: 美国加利福尼亚
发明(设计)人: S·M·塞亚 R·科特利尔 H·W·肯内尔 A·S·默西 G·A·格拉斯 K·J·库恩 T·加尼
主分类号: H01L21/336(2006.01)I
分类号: H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-12-21  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20131216
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,包括:衬底,其具有面向沟道流向的(110)晶体朝向以及(110)上表面;至少一个p型半导体主体和至少一个n型半导体主体,两者设置在所述衬底上,并且两者具有包括锗硅(SiGe)的至少初始地应变的半导体材料,独立的半导体主体具有设置在源极区和漏极区之间的沟道区;应变的包覆层,其设置在至少一个n型半导体主体的所述沟道区之上并且由硅(Si)构成;栅极电介质层,其设置在所述包覆层之上;以及栅极电极,其设置在所述栅极电介质层之上。
公开号  105723500A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  陈松涛 王英
颁证日  
优先权  
国际申请  2013-12-16 PCT/US2013/075452
国际公布  2015-06-25 WO2015/094167 EN
进入国家日期  2016.05.16