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半导体装置
有权
阅读授权文献

申请号:201380077391.0 申请日:2013-06-12
摘要:在n型漂移层(1)的顶面设置有p型正极层(2)。在n型漂移层(1)的底面设置有n型负极层(3)。在n型漂移层(1)与n型负极层(3)之间设置有n型缓冲层(4)。n型缓冲层(4)的峰值浓度高于n型漂移层(1),低于n型负极层(3)。n型漂移层(1)与n型缓冲层(4)的连接部分处的载流子浓度的梯度为20~2000cm-4
申请人: 三菱电机株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 增冈史仁 中村胜光 西井昭人
主分类号: H01L29/861(2006.01)I
分类号: H01L29/861(2006.01)I H01L29/739(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I H01L29/868(2006.01)I
  • 法律状态
2018-01-19  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/861申请日:20130612
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,其特征在于,具备:n型漂移层;p型正极层,其设置在所述n型漂移层的顶面;负极层,其设置在所述n型漂移层的底面;以及n型缓冲层,其设置在所述n型漂移层与所述负极层之间,所述n型缓冲层的峰值浓度高于所述n型漂移层,低于所述负极层,所述n型漂移层与所述n型缓冲层的连接部分处的载流子浓度的梯度为20~2000cm?4
公开号  105283962A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人  何立波 张天舒
颁证日  
优先权  
国际申请  2013-06-12 PCT/JP2013/066228
国际公布  2014-12-18 WO2014/199465 JA
进入国家日期  2015.12.11