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CMOS可兼容的多晶硅化物熔丝结构及其制造方法
审中-实审

申请号:201380076882.3 申请日:2013-06-25
摘要:描述了CMOS可兼容的多晶硅化物熔丝结构和制造CMOS可兼容的多晶硅化物熔丝结构的方法。在示例中,半导体结构包括衬底。多晶硅化物熔丝结构设置在衬底之上并且包括硅和金属。金属氧化物半导体(MOS)晶体管结构设置在衬底之上并且包括金属栅电极。
申请人: 英特尔公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: J-Y·D·叶 C-H·杨 W·M·哈佛滋 J·帕克
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-06-22  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20130625
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体结构,包括:衬底;多晶硅化物熔丝结构,设置在衬底之上并且包括硅和金属;以及设置在衬底之上的金属氧化物半导体(MOS)晶体管结构,所述MOS晶体管结构包括金属栅电极。
公开号  105283961A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人  何焜
颁证日  
优先权  
国际申请  2013-06-25 PCT/US2013/047626
国际公布  2014-12-31 WO2014/209285 EN
进入国家日期  2015.11.25