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非晶金属薄膜非线性电阻器
有权
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申请号:201380070262.9 申请日:2013-10-30
摘要:提供一种非晶金属薄膜非线性晶体管(AMNR)。AMNR是拥有对称非线性电流-电压(I-V)特征曲线的电子器件,该电子器件的示例配置可以包括三个依次沉积的层,这些层包括下非晶金属薄膜(AMTF)互连、位于AMTF互连上面的薄膜绝缘体以及位于绝缘体上面并且设置于相同物理平面中的两个上传导接触。
申请人: 俄勒冈州立大学
地址: 美国俄勒冈州
发明(设计)人: 威廉·E·科威尔三世
主分类号: H01C1/012(2006.01)I
分类号: H01C1/012(2006.01)I H01L21/00(2006.01)I
  • 法律状态
2018-06-05  授权
2016-02-17  实质审查的生效IPC(主分类):H01C 1/012申请日:20131030
2016-01-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种非晶金属薄膜非线性电阻器,拥有对称非线性电流?电压特征曲线,包括:非晶金属薄膜互连;设置于所述互连之上的绝缘体层;以及设置于所述绝缘体层和互连的选择的表面之上的第一和第二电接触,每个连接器至少让其相应部分与所述互连的相应部分重叠以提供从所述第一接触经过所述绝缘体层和非晶金属互连到所述第二接触的电连通,其中在所述第一和第二电接触两端施加的电压产生随着施加的电压非线性地并且与所述施加的电压的极性对称地变化的电流。
公开号  105264618A
公开日  2016-01-20
专利代理机构  北京鸿德海业知识产权代理事务所(普通合伙) 11412
代理人  袁媛
颁证日  
优先权  2012.11.12 US 61/725,291
国际申请  2013-10-30 PCT/US2013/067443
国际公布  2014-05-15 WO2014/074360 EN
进入国家日期  2015.07.13