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铁电隧道结器件
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申请号:201310254038.7 申请日:2013-06-24
摘要:本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。
申请人: 济南大学
地址: 250022 山东省济南市中区济微路106号
发明(设计)人: 杨锋 胡广达 武卫兵 杨长红 吴海涛
主分类号: H01L45/00(2006.01)I
分类号: H01L45/00(2006.01)I
  • 法律状态
2015-09-09  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 45/00申请日:20130624
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种铁电隧道结器件,其特征在于,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。
公开号  103325942A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  济南泉城专利商标事务所 37218
代理人  丁修亭
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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