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一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路
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申请号:201310253482.7 申请日:2013-06-24
摘要:本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路。该电路包括:PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链,上述部件组成一个三角波产生电路。本发明提供的测量阈值电压和饱和漏电流退化电路,采用将三角波产生电路与MOS晶体管的阈值电压及饱和漏电流的退化测试结合起来,将器件的特性与电路行为结合起来,可以从外部改变电路的工作条件,并且可以在各种不同的测试条件下,直接简便地测出阈值电压和饱和漏电流的退化情况。
申请人: 北京大学
地址: 100871 北京市海淀区颐和园路5号
发明(设计)人: 何燕冬 艾雷 洪杰 张钢刚 张兴
主分类号: G01R31/26(2006.01)I
分类号: G01R31/26(2006.01)I
  • 法律状态
2015-10-14  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20130624
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路,其特征在于,包括:PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链,上述部件组成一个三角波产生电路。
公开号  103323763A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人  王莹
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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