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阻变存储器中金属氧化物层的形成方法
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申请号:201310217879.0 申请日:2013-06-03
摘要:本发明提出一种阻变存储器中金属氧化物层的形成方法,包括:进行快速加热氧化,在金属材料上形成氧化层;和进行等离子体增强氧化,将氧化层变为增强氧化层。该方法制得的金属氧化层含氧量高,均一性好。
申请人: 清华大学
地址: 100084 北京市海淀区100084-82信箱
发明(设计)人: 吴华强 白越 吴明昊 钱鹤
主分类号: H01L45/00(2006.01)I
分类号: H01L45/00(2006.01)I
  • 法律状态
2016-03-23  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 45/00申请日:20130603
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种阻变存储器中金属氧化物层的形成方法,其特征在于,包括:S1.进行快速加热氧化,在金属材料上形成氧化层;和S2.进行等离子体增强氧化,将所述氧化层变为增强氧化层。
公开号  103325941A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人  张大威
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期