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多晶硅层的形成方法
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权利转移
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申请号:201310205826.7 申请日:2013-05-28
摘要:一种多晶硅层的形成方法,包括:提供基底;将所述基底放入反应腔内;往所述反应腔内通入含硅气体和第一掺杂气体,在所述基底上形成掺杂硅材料层;形成所述掺杂硅材料层后,往所述反应腔内通入流速为200~700sccm的第二掺杂气体,形成掺杂多晶硅层;其中反应腔内的温度大于570℃,且大于形成掺杂硅材料层时反应腔内的温度。通过本技术方案可以提高制备得到的掺杂多晶硅层的掺杂浓度,有效减小多晶硅层的电阻率。
申请人: 上海宏力半导体制造有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
发明(设计)人: 许忠义
主分类号: H01L21/20(2006.01)I
分类号: H01L21/20(2006.01)I
  • 法律状态
2017-10-10  授权
2014-07-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/20申请日:20130528
2014-04-30  专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 21/20变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种多晶硅层的形成方法,其特征在于,包括:提供基底;将所述基底放入反应腔内;往所述反应腔内通入含硅气体和第一掺杂气体,在所述基底上形成掺杂硅材料层;形成所述掺杂硅材料层后,往所述反应腔内通入流速为200~700sccm的第二掺杂气体,形成掺杂多晶硅层;其中反应腔内的温度大于570℃,且大于形成掺杂硅材料层时反应腔内的温度。
公开号  103325665A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人  张亚利 骆苏华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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