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具有复合透明导电层的发光二极管及其制备方法
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申请号:201310201452.1 申请日:2013-05-27
摘要:本发明公开了一种具有复合透明导电层的发光二极管及其制备方法,该发光二极管包括三族氮化物外延层、复合透明导电层、透明钝化层以及金属电极。复合透明导电层位于三族氮化物外延层与透明钝化层之间,并且由高价金属原子掺杂的氧化钛层与氧化铟锡层组成,所述掺杂氧化钛层形成于三族氮化物外延层上,氧化铟锡层覆盖在掺杂氧化钛层上并与掺杂氧化钛层形成凸凹镶嵌的复合多层结构。本发明公开的具有复合透明导电层的发光二极管能有效消除三族氮化物与透明导电层界面处的全反射,大幅度提高发光器件的光提取效率,并且具有工艺简单、低成本等优势,在超高亮度发光二极管制造领域应用前景广阔。
申请人: 江苏晶瑞半导体有限公司
地址: 213314 江苏省溧阳市上黄镇飞跃路7号
发明(设计)人: 刘洪刚 郭浩
主分类号: H01L33/42(2010.01)I
分类号: H01L33/42(2010.01)I
  • 法律状态
2017-06-09  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/42申请日:20130527
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种发光二极管,包括三族氮化物外延层(101,102,103,104)、复合透明导电层(105,106)、透明钝化层(107)以及金属电极(108,109),其中:所述复合透明导电层位于所述三族氮化物外延层与所述透明钝化层之间;所述复合透明导电层由高价金属原子掺杂的氧化钛层(TiO2:Mx+)(105)与氧化铟锡层(ITO,In2O3:Sn)(106)组成;以及所述掺杂氧化钛层(105)形成于所述三族氮化物外延层上,所述氧化铟锡层(106)覆盖在所述掺杂氧化钛层(105)上并与所述掺杂氧化钛层形成凸凹镶嵌的复合多层结构。
公开号  103325913A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382
代理人  苗青盛 王凤华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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