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一种可实现宽频率范围调谐的片上可变电感
无权-视为撤回

申请号:201310200688.3 申请日:2013-05-27
摘要:本发明属于集成电路技术领域,具体为一种用标准集成电路工艺设计,可实现宽频率范围调谐的片上可变电感。该可变电感基于互感的基本原理,由五个电感L1~L5组成,每一个电感由最高层的金属互连线实现。采用晶体管M1~M3作为开关,控制电感L2~L5中电流的通断,从而改变主线圈L1中的等效电感值。线圈L3和L4作为同一个电感使用,采用相同的晶体管M2控制,以保持可变电感的对称性。通过对可变电感的性能仿真、原理分析,以及电路实验论证,说明本发明提出的可变电感具有品质因素高的特点。
申请人: 复旦大学
地址: 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
发明(设计)人: 李巍 朱宁
主分类号: H01L27/12(2006.01)I
分类号: H01L27/12(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
  • 法律状态
2016-03-30  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 27/12申请公布日:20130925
2013-11-20  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20130527
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用标准集成电路工艺设计,可实现宽频率范围调谐的片上可变电感,其特征在于:采用八层金属互连线的标准CMOS层次关系,不同金属层通过通孔连接,具体由五个电感线圈L1~L5组成,其中,L1为主线圈,L2~L5为次级线圈;每一个电感线圈由最高层金属N8的金属互连线实现,其中,在主线圈L1的中点,通过通孔VIA7将第七层金属N7和第八层金属N8相连,将主线圈L1的中点利用金属层N7引出作为中心抽头;电感线圈L2位于主线圈L1的内部,电感线圈L3和电感线圈L4分别位于主线圈L1的左边和右边,电感线圈L5位于主线圈L1的前边;采用晶体管M1~M3作为开关,由晶体管M1控制电感线圈L2电流的通断,由晶体管M3控制电感线圈L5电流的通断,由晶体管M2控制电感线圈L3、L4中电流的通断,从而改变主线圈L1中的等效电感值;其中,电感线圈L3和电感线圈L4作为同一个电感线圈使用,采用相同的晶体管M2控制,以保持可变电感的对称性;次级线圈L2~L5的两端通过过孔和晶体管M1~M3的源漏在金属层N1相连接。
公开号  103325793A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  上海正旦专利代理有限公司 31200
代理人  陆飞 盛志范
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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