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一种六角形粗化表面的LED外延片的制备方法
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申请号:201310197875.0 申请日:2013-05-25
摘要:本发明公开了一种形成六角形粗化表面的LED外延片的制备方法。该新型的LED外延片的结构从下至上依次为衬底、缓冲层、N-GaN层、量子阱层、及掺杂杂质的粗化P-GaN层或掺杂杂质的盖层,其特点是通过对P-GaN层或盖层掺杂杂质形成六角形粗化表面结构,解决了现有低温或者湿法粗化技术存在的一系列问题和弊端,本发明操作简单,六角形缺陷坑的粗化表面效果明显,更重要的是保持了LED的原有光电性能不变,而且取光效率更高。
申请人: 王敏帅
地址: 361021 福建省厦门市集美区集源路58号福信公寓1102
发明(设计)人: 王敏帅
主分类号: H01L33/22(2010.01)I
分类号: H01L33/22(2010.01)I
  • 法律状态
2017-08-29  授权
2017-08-22  著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/22变更事项:发明人变更前:王敏帅变更后:王敏帅 黄晓菁 蔡晓梅 杨兰 郑凯
2017-08-22  专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/22登记生效日:20170802变更事项:申请人变更前权利人:王敏帅变更后权利人:集美大学变更事项:地址变更前权利人:361021 福建省厦门市集美区集源路58号福信公寓1102变更后权利人:361021 福建省厦门市集美区银江路185号集美大学理学院物理
2015-08-12  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/22申请日:20130525
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种六角形粗化表面的LED外延片的制备方法,其特征在于包括步骤:1)在半导体衬底上依次长出缓冲层、N‑GaN层、量子阱层、及P‑GaN层或盖层;2)通过对P‑GaN层或盖层或两者的任意组合掺杂杂质,从而使所述P‑GaN层形成六角形粗化表面。
公开号  103325908A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
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