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半导体器件
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申请号:201310196987.4 申请日:2013-05-23
摘要:本发明提供了一种半导体器件,属于半导体技术领域。它解决了现有半导体芯片的各外延层之间存在导电、漏电等现象的问题。该半导体器件包括衬底,在衬底上具有设有n型电极的n型半导体以及包含设有p型电极的p型半导体的半导体芯片,其特征在于,半导体芯片或者半导体芯片内两个或者两个以上的相邻发光领域之间的侧面的各外延结晶层之间的结合处形成一层的绝缘层。本发明通过该绝缘层防止各外延结晶层之间的导电、漏电等现象,进而提高半导体器件的效率和可靠性。
申请人: 台州市一能科技有限公司 安部正幸
地址: 318000 浙江省台州市开发大道东段818号3幢4层西侧
发明(设计)人: 安部正幸
主分类号: H01L33/44(2010.01)I
分类号: H01L33/44(2010.01)I
  • 法律状态
2016-08-10  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/44申请日:20130523
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  半导体器件,该半导体器件包括衬底,在衬底上具有设有n型电极的n型半导体以及设有p型电极的p型半导体的半导体芯片,其特征在于,半导体芯片或者半导体芯片内两个或者两个以上的相邻发光领域之间的侧面的各外延结晶层之间的结合处形成一层的绝缘层。
公开号  103325914A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  台州市方圆专利事务所 33107
代理人  蔡正保 朱新颖
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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