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一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法
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申请号:201310187995.2 申请日:2013-05-20
摘要:一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法,其中,同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带包裹并热压焊的方式。采用上述方案,使同轴-微带的转接在DC-67GHz宽频带内射频性能优良,而且提高了该转接的可靠性和稳定性,保证其顺利通过各项环境实验,易于生产。
申请人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
地址: 266000 山东省青岛市经济技术开发区香江路98号
发明(设计)人: 张猛 姜万顺 文春华 李红伟 李鸽
主分类号: H01P11/00(2006.01)I
分类号: H01P11/00(2006.01)I
  • 法律状态
2018-02-02  专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01P 11/00变更事项:专利权人变更前:中国电子科技集团公司第四十一研究所变更后:中国电子科技集团公司第四十一研究所变更事项:地址变更前:266000 山东省青岛市经济技术开发区香江路98号变更后:233000 安徽省蚌埠市长征路726号
2015-08-26  授权
2014-01-01  实质审查的生效IPC(主分类):H01P 11/00申请日:20130520
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种宽带同轴‑陶瓷介质基片微带转接的装配方法,其特征在于,同轴‑陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带线包裹并热压焊的方式。
公开号  103326101A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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