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具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构
审中-实审

申请号:201310175111.1 申请日:2009-04-29
摘要:一种太阳能电池包括在诸如硅晶片之类的衬底(103)背面(106)上的多晶硅P型和N型掺杂区域。沟槽结构(104)将P型掺杂区域(101)和N型掺杂区域(102)分开。P型和N型掺杂区域中的每个均可以形成在薄电介质层(113)上。沟槽结构(104)可以包括具有纹理的表面(114),该表面用来增加太阳能辐射收集。其他优点之一是:形成的结构通过在相邻的P型和N型掺杂区域之间提供隔离来提高效率,从而防止掺杂区域会接触的空间电荷区域中的复合。
申请人: 太阳能公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: 戴维·D·史密斯
主分类号: H01L31/0352(2006.01)I
分类号: H01L31/0352(2006.01)I H01L31/0224(2006.01)I H01L31/072(2012.01)I H01L31/18(2006.01)I
  • 法律状态
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0352申请日:20090429
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种太阳能电池结构,包括:硅衬底,其具有在正常工作期间面向太阳的正面和与正面相对的背面;P型掺杂区域和N型掺杂区域,P型掺杂区域和N型掺杂区域包括多晶硅;第一电介质层,其处于衬底上以及P型掺杂区域和N型掺杂区域中的每一个的下面;沟槽,其将P型掺杂区域和N掺杂区域分开;以及第二电介质层,其形成于沟槽中。
公开号  103325861A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人  陈源 崔利梅
颁证日  
优先权  2008.06.12 US 61/060,921;2009.04.28 US 12/431,684
国际申请  
国际公布  
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