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用于MOSFET开关器件电压选择的方法和设备
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申请号:201310092569.0 申请日:2013-03-21
摘要:本发明涉及用于MOSFET开关器件电压选择的方法和设备。根据一个总的方面,一种设备包括第一电压轨以及第二电压轨。所述设备包括在第一电压轨和第二电压轨之间的第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)PMOS器件,其中第一PMOS器件配置为响应于第一PMOS器件被激活而将第一电压轨电连接于第二电压轨。所述设备还可以包括第二PMOS器件,第二PMOS器件配置为响应于第二PMOS器件被激活且第一PMOS器件被去激活,将由电荷泵器件产生的电荷泵电压提供给第二电压轨。所述设备还可以包括传输门以及连接于传输门的驱动器电路,驱动器电路配置为基于第二电压轨的电压操作。
申请人: 快捷半导体(苏州)有限公司 快捷半导体公司
地址: 215021 江苏省苏州市苏州工业园区苏桐路1号
发明(设计)人: N·加涅 科奈斯·P·斯诺登
主分类号: H03K17/16(2006.01)I
分类号: H03K17/16(2006.01)I
  • 法律状态
2016-01-13  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H03K 17/16申请日:20130321
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种设备,包括:第一电压轨;第二电压轨;第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)PMOS器件,其位于所述第一电压轨与所述第二电压轨之间,所述第一PMOS器件配置为响应于所述第一PMOS器件被激活而将所述第一电压轨电连接于所述第二电压轨;第二PMOS器件,配置为响应于所述第二PMOS器件被激活且所述第一PMOS器件被去激活而向所述第二电压轨提供由电荷泵器件产生的电荷泵电压;传输门;以及驱动器电路,其连接于所述传输门,并配置为基于所述第二电压轨的电压而操作。
公开号  103326698A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270
代理人  武晨燕 张颖玲
颁证日  
优先权  2012.03.22 US 13/427,481
国际申请  
国际公布  
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