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半导体封装及其形成方法
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申请号:201310088571.0 申请日:2013-03-19
摘要:本发明公开了一种半导体封装及其形成方法。在一个实施例中,一种形成半导体封装的方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方。用封装材料覆盖第一裸片和第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件。使封装件从底表面开始薄化,以露出第一裸片的第一表面而不露出第二裸片。选择性地蚀刻第一裸片的露出的第一表面,以露出第一裸片的第二表面。形成背面导电层,以接触第一表面。通过封装件的第一部分使第二裸片与背面导电层分离。
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
地址: 德国瑙伊比贝尔格市
发明(设计)人: 爱德华·菲尔古特 哈利勒·哈希尼 约阿希姆·马勒
主分类号: H01L21/48(2006.01)I
分类号: H01L21/48(2006.01)I H01L21/56(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I H01L23/31(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
  • 法律状态
2016-03-02  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/48申请日:20130319
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种形成半导体封装的方法,所述方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方,所述第一裸片为与所述第二裸片不同类型的裸片;用封装材料覆盖所述第一裸片和所述第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件;使所述封装件从所述底表面开始薄化,以露出所述第一裸片的第一表面而不露出所述第二裸片;以及形成接触所述第一裸片的背面导电层,其中,通过所述封装件的第一部分使所述第二裸片与所述背面导电层分离。
公开号  103325690A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人  余刚 李静
颁证日  
优先权  2012.03.19 US 13/423,951
国际申请  
国际公布  
进入国家日期