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太阳能电池
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申请号:201310086279.5 申请日:2013-03-18
摘要:本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括:第一导电类型的半导体衬底;发射极区,该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型,并位于半导体衬底的第一表面处;半导体区,该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上,在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层,并包含第一导电类型的杂质;第一电极,该第一电极位于半导体衬底的第一表面上,并与发射极区相连接;以及第二电极,该第二电极位于半导体衬底的第二表面上,并与半导体衬底相连接。
申请人: LG电子株式会社
地址: 韩国首尔
发明(设计)人: 沈承焕 金基修 尹银彗 黄有珠 李永贤 朴相昱
主分类号: H01L31/0352(2006.01)I
分类号: H01L31/0352(2006.01)I H01L31/0216(2006.01)I
  • 法律状态
2016-06-01  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0352申请日:20130318
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:第一导电类型的半导体衬底;发射极区,所述发射极区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型,并位于所述半导体衬底的第一表面处;半导体区,所述半导体区直接位于所述半导体衬底的与所述第一表面相反的第二表面上,在所述半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层,并包含第一导电类型的杂质;第一电极,所述第一电极位于所述半导体衬底的第一表面上,并与所述发射极区相连接;以及第二电极,所述第二电极位于所述半导体衬底的第二表面上,并与所述半导体衬底相连接。
公开号  103325860A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人  吕俊刚 刘久亮
颁证日  
优先权  2012.03.19 KR 10-2012-0027678
国际申请  
国际公布  
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