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半导体器件及其制造方法
无权-视为撤回
权利转移

申请号:201310053713.X 申请日:2013-02-19
摘要:本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:形成在衬底之上的第一半导体层;形成在第一半导体层之上的第二半导体层;形成在第二半导体层之上的电极;以及形成在第二半导体层上的第三半导体层;其中,第三半导体层形成为围绕其中形成有电极的每一个元件,并且其中,第三半导体层是其导电型的极性与在第一半导体层中产生的载流子的极性相反的半导体层。
申请人: 富士通株式会社
地址: 日本神奈川县
发明(设计)人: 今田忠纮
主分类号: H01L29/778(2006.01)I
分类号: H01L29/778(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/335(2006.01)I
  • 法律状态
2016-05-11  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 29/778申请公布日:20130925
2014-08-20  专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 29/778变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:创世舫电子日本株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20140728
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20130219
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,包括:形成在衬底之上的第一半导体层;形成在所述第一半导体层之上的第二半导体层;形成在所述第二半导体层之上的电极;以及形成在所述第二半导体层上的第三半导体层;其中,所述第三半导体层形成为围绕其中形成有所述电极的每个元件,以及其中,所述第三半导体层是其导电型的极性与在所述第一半导体层中产生的载流子的极性相反的半导体层。
公开号  103325824A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人  顾晋伟 全万志
颁证日  
优先权  2012.03.19 JP 2012-062901
国际申请  
国际公布  
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