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一种平面碳膜电极的制备方法
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申请号:201210556923.6 申请日:2012-12-18
摘要:本发明公开了一种平面碳膜电极的制备方法,涉及电化学微纳米加工技术领域。具体步骤是:将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上,随后在具有一定压力的惰性气体保护下,通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化,并最终形成导电碳膜;最后采用树脂封装制成平面碳膜电极。由于采用程序升温使光刻胶层在发生碳化前先发生软化,利用并通过增加气体压力,延长在软化温度下的滞留时间,进一步增强光刻胶层的自流平作用,制得具有极高面形精度的大面积碳膜电极。
申请人: 厦门大学 大连理工大学
地址: 361000 福建省厦门市思明南路422号
发明(设计)人: 王成 时康 康仁科 田中群 杨永学 单坤 张红万 周剑章 周平 詹东平 张艺程
主分类号: B81C1/00(2006.01)I
分类号: B81C1/00(2006.01)I
  • 法律状态
2015-07-08  授权
2013-06-05  实质审查的生效IPC(主分类):B81C 1/00申请日:20121218
2013-05-01  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种平面碳膜电极的制备方法,首先将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上,然后在一定压力的惰性气体的保护下,通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化,并最终形成高面型精度的平面碳膜,最后用树脂封装制成大面积平面碳膜电极。
公开号  103072938A
公开日  2013-05-01
专利代理机构  厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204
代理人  张松亭
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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