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金属栅极半导体器件
有权
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申请号:201210418352.X 申请日:2012-10-26
摘要:提供了方法和器件,包括设置在衬底上方的多个不同配置的栅极结构。例如,第一栅极结构与第一类型的晶体管相关联,并且包括第一介电层和第一金属层;第二栅极结构与第二类型的晶体管相关联,并且包括第二介电层、第二金属层、多晶硅层、第一介电层和第一金属层;以及伪栅极结构,包括第一介电层和第一金属层。本发明还提供了金属栅极半导体器件。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 黄仁安 朱鸣 刘继文
主分类号: H01L21/28(2006.01)I
分类号: H01L21/28(2006.01)I H01L21/8238(2006.01)I H01L29/423(2006.01)I H01L27/092(2006.01)I
  • 法律状态
2016-01-13  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20121026
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制造半导体器件的方法,包括:形成包括第一栅极介电层、第一金属层以及上覆所述第一栅极介电层和所述第一金属层的伪层的多个栅极结构;从所述多个栅极结构的第一栅极结构和第二栅极结构中去除所述伪层的至少一部分,其中,去除所述伪层在所述第一栅极结构中提供第一沟槽以及在所述第二栅极结构中提供第二沟槽,其中,所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度;以及在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成第二栅极介电层和第二金属层。
公开号  103325670A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 孙征
颁证日  
优先权  2012.03.20 US 13/424,935
国际申请  
国际公布  
进入国家日期