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半导体装置及其制造方法
无权-视为撤回

申请号:201210315961.2 申请日:2012-08-30
摘要:本发明提供一种可微细化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具备:第1导电型的第1半导体层;第2导电型的基极层,被设置在所述第1半导体层上;第1导电型的第2半导体层,被设置在所述基极层上;多个栅电极,栅电极的上端比所述基极层的上表面位于上方,栅电极的下端比所述基极层的下表面位于下方,隔着栅极绝缘膜与所述第1半导体、所述第2半导体层及所述基极层接触;绝缘部件,被配置在所述栅电极上,所述绝缘部件的上表面比所述第2半导体层的上表面位于下方;以及导电膜,在所述栅电极之间,与所述栅电极相隔规定的距离,将所述第2半导体层的从上端至下端、以及所述第2半导体层及所述绝缘部件的上端覆盖。
申请人: 株式会社东芝
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 西胁达也 大田刚志 安原纪夫 新井雅俊 河野孝弘
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-05-25  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 29/78申请公布日:20130925
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20120830
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,具备:第1导电型的第1半导体层;第2半导体层,设置在所述第1半导体层上,为第1导电型,有效杂质浓度比所述第1半导体层的有效杂质浓度低;第2导电型的基极层,设置在所述第2半导体层上;第1导电型的第3半导体层,设置在所述基极层上;多个栅电极,上端位于所述基极层的上表面的上方,下端位于所述基极层的下表面的下方,隔着栅极绝缘膜与所述第2半导体层、所述基极层及所述第3半导体层相接;绝缘部件,配置在所述栅电极上,上表面位于所述第3半导体层的上表面的下方;导电膜,在所述栅电极之间,与所述栅电极相隔规定的距离,将所述第3半导体层的从上端至下端、以及所述第3半导体层及所述绝缘部件的上端覆盖;场板电极,在所述栅电极的下方,隔着所述栅极绝缘膜设置;以及基极接触层,在所述第3半导体层与所述基极层的边界,与所述导电膜相接地设置,所述基极接触层的有效杂质浓度比所述基极层的有效杂质浓度高。
公开号  103325829A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  陈萍
颁证日  
优先权  2012.03.22 JP 066416/2012
国际申请  
国际公布  
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