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晶片品质检验方法
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申请号:201210289108.8 申请日:2012-08-15
摘要:本发明公开了一种晶片品质检验方法,包含有下列步骤:先设定一组检测参数;而后,扫描该晶片并依据所设定的参数检测各晶粒,并将扫描后的晶粒外观以及检测结果输出形成一晶粒状态图(Die Status Map);依据产生的晶粒状态图产生一用以显示该晶片检测不合格的晶粒的不合格晶粒图;抽测所产生的不合格晶粒图中的至少一晶粒是否合格;若是,则修改该晶粒状态为合格,并依据抽测结果修改该晶粒状态图;储存并输出修改后的晶粒状态图。
申请人: 旺矽科技股份有限公司
地址: 中国台湾新竹县竹北市
发明(设计)人: 蔡振扬 周明澔 杨上毅 吴佳兴
主分类号: H01L21/66(2006.01)I
分类号: H01L21/66(2006.01)I
  • 法律状态
2016-05-25  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/66申请日:20120815
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种晶片品质检验方法,用以检查晶片中各晶粒是否合格;该品质检验方法包含有下列步骤:A.设定一组检测参数;B.扫描该晶片并依据步骤A所设定的参数检测各晶粒,并将扫描后的晶粒外观以及检测结果输出形成一晶粒状态图(Die Status Map);C.依据步骤B形成的晶粒状态图产生一用以显示该晶片检测不合格的晶粒的不合格晶粒图;D.抽测步骤C所产生的不合格晶粒图中的至少一晶粒是否合格;若是,则修改该晶粒状态为合格,并依据抽测结果修改该晶粒状态图;E.储存并输出步骤D修改后的晶粒状态图。
公开号  103325704A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人  任岩
颁证日  
优先权  2012.03.20 TW 101109555
国际申请  
国际公布  
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