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发光二极管、封装件与制造方法
有权
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申请号:201210258932.7 申请日:2012-07-24
摘要:发光二极管元件包括发光二极管芯片及萤光层。发光二极管芯片具有出光面且至少一接垫。萤光层形成于出光面上并露出至少一接垫,萤光层包括数个萤光粒子及基体,其中此些萤光粒子的至少一些具有第一部分及第二部分,第一部分埋设于基体内,而第二部分突出于基体的外表面。
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
地址: 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
发明(设计)人: 辛嘉芬 赖律名 陈盈仲
主分类号: H01L33/50(2010.01)I
分类号: H01L33/50(2010.01)I H01L33/54(2010.01)I H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2016-03-09  授权
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/50申请日:20120724
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种发光二极管元件,包括:一发光二极管芯片,具有一出光面及至少一接垫;以及一萤光层,形成于该出光面上并露出该至少一接垫,该萤光层包括数个萤光粒子及一基体,其中所述萤光粒子的至少一些具有一第一部分及一第二部分,该第一部分埋设于该基体内,而该第二部分突出于该基体的一外表面。
公开号  103325929A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人  陆勍
颁证日  
优先权  2012.03.20 US 13/425,040
国际申请  
国际公布  
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