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一种半导体结构及其制造方法
无权-驳回

申请号:201210074860.0 申请日:2012-03-20
摘要:本发明提供了一种半导体结构的制造方法,包括以下步骤:提供衬底,在该衬底上形成栅堆叠;形成环绕所述栅堆叠的偏移侧墙以及环绕所述偏移侧墙的伪侧墙;在伪侧墙两侧形成源/漏区;去除所述伪侧墙、以及所述偏移侧墙位于衬底表面的部分;在所述偏移侧墙的侧壁上形成掺杂侧墙;使所述掺杂侧墙中掺杂杂质进入衬底中,形成源/漏扩展区;去除所述掺杂侧墙。相应地,本发明还提供了一种半导体结构。本发明利用后续步骤中将去除的、重掺杂的掺杂侧墙来形成掺杂浓度高、结深浅的源/漏扩展区,从而有效地提高了半导体结构的性能。
申请人: 中国科学院微电子研究所
地址: 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明(设计)人: 殷华湘 徐秋霞 陈大鹏
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-08-24  发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 29/78申请公布日:20130925
2013-10-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20120320
2013-09-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体结构的制造方法,该方法包括以下步骤:a)提供衬底(100),在该衬底(100)上形成栅堆叠;b)形成环绕所述栅堆叠的偏移侧墙(220)以及环绕所述偏移侧墙(220)的伪侧墙(230);c)在伪侧墙(230)两侧形成源/漏区(310);d)去除所述伪侧墙(230)、以及所述偏移侧墙(220)位于衬底(100)表面的部分;e)在所述偏移侧墙(220)的侧壁上形成掺杂侧墙(410);f)使所述掺杂侧墙(410)中掺杂杂质进入衬底(100)中,形成源/漏扩展区(320);g)去除所述掺杂侧墙(410)。
公开号  103325826A
公开日  2013-09-25
专利代理机构  北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370
代理人  朱海波
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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