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一种片上供电网络仿真的通孔处理方法及系统
无权-未缴年费

申请号:201210058540.6 申请日:2012-03-07
摘要:本发明公开了一种片上供电网络仿真的通孔处理方法及系统。该通孔处理方法包括:步骤1,计算片上供电网络的总电流Itotal;步骤2,计算第l层金属走线到第l-1层金属走线之间的通孔总数;步骤3,如果,则忽略第l层金属走线到第l-1层金属走线之间第j个通孔,否则保留第l层金属走线到第l-1层金属走线之间第j个通孔;步骤4,忽略通孔后,修改电路拓扑图;其中为第l层金属走线到第l-1层金属走线之间第j个通孔电阻,l为正整数,ε为求解精度,μ为倍数因子。本发明可以根据求解精度ε和倍数因子μ自适应地实现通孔处理,并且通过并查集技术将电路拓扑更新,形成的仿真矩阵不再具有很强的病态性,因此可以提高待求解问题的收敛性和稳定性。
申请人: 清华大学
地址: 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
发明(设计)人: 周强 蔡懿慈 李佐渭 杨建磊
主分类号: G06F17/50(2006.01)I
分类号: G06F17/50(2006.01)I
  • 法律状态
2017-04-19  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 17/50申请日:20120307授权公告日:20130724终止日期:20160307
2013-07-24  授权
2012-09-19  实质审查的生效IPC(主分类):G06F 17/50申请日:20120307
2012-07-18  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种片上供电网络仿真的通孔处理方法,其特征在于,包括:步骤1,计算片上供电网络的总电流Itotal;步骤2,计算第l层金属走线到第l?1层金属走线之间的通孔总数步骤3,如果则忽略第l层金属走线到第l?1层金属走线之间第j个通孔,否则保留第l层金属走线到第l?1层金属走线之间第j个通孔;步骤4,忽略通孔后,修改电路拓扑图;其中为第l层金属走线到第l?1层金属走线之间第j个通孔电阻,l为正整数,ε为求解精度,μ为倍数因子。FDA0000141356860000011.tif,FDA0000141356860000012.tif,FDA0000141356860000013.tif
公开号  102592033A
公开日  2012-07-18
专利代理机构  北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人  王建军 谢鑫
颁证日  
优先权  2011.11.30 CN 201110391413.3
国际申请  
国际公布  
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