搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

双极型晶体管的集电区本征方块电阻的测量方法
无权-视为撤回

申请号:200910196466.2 申请日:2009-09-25
摘要:本发明提出一种双极型晶体管的集电区本征方块电阻的测量方法,双极型晶体管包括发射区、基区和集电区,其中发射区包括发射区金属引出,基区包括基区金属引出,集电区包括两个集电区金属引出,测量时,发射区保持零偏压,基区加第一电压VBE;集电区的两个集电区金属引出上分别加第二电压VCE+ΔV、第三电压VCE-ΔV,并测量流经集电区的电流I;在多个具有相同长度LC和不同宽度WC的集电区的双极型晶体管上重复步骤A和B;根据集电区的长度LC、宽度WC和电流I的数值,由公式2ΔV/ΔI=RSH*LC/ΔWC+RX,以LC/ΔWC为横坐标、2ΔV/ΔI为纵坐标拟合出曲线,曲线的斜率为集电区本征方块电阻RSH,截距为集电区的非本征电阻RX。
申请人: 上海宏力半导体制造有限公司
地址: 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
发明(设计)人: 王兵冰
主分类号: G01R27/08(2006.01)I
分类号: G01R27/08(2006.01)I
  • 法律状态
2014-08-13  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):G01R 27/08申请公布日:20100310
2011-07-13  实质审查的生效IPC(主分类):G01R 27/08申请日:20090925
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种双极型晶体管的集电区本征方块电阻的测量方法,用于测量工作状 态的双极型晶体管中的集电区本征方块电阻Rsh和非本征电阻Rx,该双极型晶 体管包括发射区、基区和集电区,其中发射区包括发射区金属引出,基区包括 基区金属引出,集电区包括两个集电区金属引出,其特征是,包括以下步骤: a.该双极型晶体管的发射区保持零偏压,基区加第一电压Vbe; b.集电区的两个集电区金属引出上分别加第二电压Vce+ΔV、第三电压 Vce-ΔV,并测量流经该集电区的电流I; c.在多个具有相同长度Lc和不同宽度Wc的集电区的双极型晶体管上重复 步骤a和b; d.根据集电区的长度Lc、宽度Wc和电流I的数值,由公式 2ΔV/ΔI=Rsh*Lc/ΔWc+Rx 以Lc/ΔWc为横坐标,2ΔV/ΔI为纵坐标拟合出曲线,该曲线的斜率为该 集电区本征方块电阻Rsh,截距为该集电区的非本征电阻Rx,其中ΔI为两次测 量的电流之差,ΔWc为该集电区的宽度之差。
公开号  101666829
公开日  2010-03-10
专利代理机构  上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人  郑玮
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期