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萃取电阻模型长度偏差值的方法
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申请号:200910196448.4 申请日:2009-09-25
摘要:本发明提出一种电阻建模中萃取电阻模型长度偏差值的方法,包括以下步骤:将多个电阻被测器件置于相同的温度中,依次用强度不同的多个电场分别加在这些电阻被测器件上,这些电阻被测器件是利用相同工艺制造出,理想宽度相同,理想长度不同;测量流经不同电阻被测器件的电流,计算不同电阻被测器件的电阻值;以及分别拟合相同强度电场下电阻模型的理想长度与电阻值的关系曲线,不同强度电场的曲线交点的横坐标即为电阻模型的长度偏差值。本发明提供了一种全新的通过拟合曲线的方式来萃取电阻建模的长度偏差值,萃取方式简单可行,萃取得到的长度偏差值加入到模拟过程的参数设置中,使得模拟结果更为精确可信。
申请人: 上海宏力半导体制造有限公司
地址: 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
发明(设计)人: 张欣
主分类号: G01B7/04(2006.01)I
分类号: G01B7/04(2006.01)I
  • 法律状态
2014-06-11  专利权的转移IPC(主分类):G01B 7/04变更事项:专利权人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140514
2012-10-31  授权
2011-09-07  实质审查的生效IPC(主分类):G01B 7/04申请日:20090925
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种电阻建模中萃取电阻模型长度偏差值的方法,其特征是,包括以下 步骤: 将多个电阻被测器件置于相同的温度中,依次用强度不同的多个电场分别 加在这些电阻被测器件上,这些电阻被测器件是利用相同工艺制造出,理想宽 度相同,理想长度不同; 测量流经不同电阻被测器件的电流,计算不同电阻被测器件的电阻值;以 及 分别拟合相同强度电场下电阻被测器件的理想长度与电阻值的关系曲线, 不同强度电场的曲线交点的横坐标即为电阻模型长度偏差值。
公开号  101666613
公开日  2010-03-10
专利代理机构  上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人  郑玮
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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