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气相外延工艺中的掺杂方法及其装置
无权-驳回

申请号:200910196421.5 申请日:2009-09-25
摘要:一种气相外延工艺中的掺杂方法,包括如下步骤:提供含有卤素元素的气体和由III族金属与掺杂元素构成的混合物;加热III族金属与掺杂元素构成的混合物;将含有卤素元素的气体通过加热后的混合物表面,以生成混有III族金属元素卤化物与掺杂元素卤化物的混合气体;将所述混合气体通入反应室,进行III-V族半导体材料的外延生长。本发明进一步提供了另一种掺杂方法以及相应的两种掺杂装置。本发明的优点在于,采用由III族金属与掺杂元素构成的混合物与含有卤族元素的气体反应以生成混合物,克服了氢化物容易分解的缺点,能够在III-V族化合物中实现稳定的掺杂。
申请人: 苏州纳维科技有限公司
地址: 215125江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
发明(设计)人: 张育民 王建峰 任国强 徐科
主分类号: C30B25/02(2006.01)I
分类号: C30B25/02(2006.01)I
  • 法律状态
2012-11-14  发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 21/205申请公布日:20100310
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20090925
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种气相外延工艺中的掺杂方法,其特征在于,包括如下步骤: 提供含有卤素元素的气体和由III族金属与掺杂元素构成的混合物; 加热III族金属与掺杂元素构成的混合物; 将含有卤素元素的气体通过加热后的混合物表面,以生成混有III族金属元 素卤化物与掺杂元素卤化物的混合气体; 将所述混合气体通入反应室,进行III-V族半导体材料的外延生长。
公开号  101665978
公开日  2010-03-10
专利代理机构  上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
代理人  翟羽
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期