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在单晶硅基片表面制备CO3O4复合薄膜的方法及用途
无权-视为撤回

申请号:200910196144.8 申请日:2009-09-23
摘要:一种在单晶硅基片表面制备CO3O4复合薄膜的方法,先将单晶硅基片置于PIRAHAN溶液中90℃下处理1小时,然后用去离子水超声清洗,置于防尘烘箱中干燥,再将其浸入硝酸钴溶液和氢氧化钠溶液,将该混合液和高温高压水并行流入反应容器,反应温度为300℃;取CO(NO3)2·6H2O,放入烧杯加水溶解,磁力搅拌后先滴加聚乙二醇溶液和PH=10的缓冲溶液,再滴加H2O2搅拌30MIN。将此混合液装进内附聚四氟乙烯的不锈钢高压反应釜密封,于200℃下反应20分钟,将反应物混合物离心分离,洗涤、干燥,得到表面附有CO3O4薄膜的单晶硅基片,本发明用于微型复杂元器件的规模化生产模具表面,增强抗磨损性能。
申请人: 上海第二工业大学
地址: 201209上海市浦东新区金海路2360号
发明(设计)人: 李健
主分类号: C23C20/08(2006.01)I
分类号: C23C20/08(2006.01)I
  • 法律状态
2011-08-17  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C23C 20/08公开日:20100310
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 20/08申请日:20090923
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种在单晶硅基片表面制备Co3O4复合薄膜的方法,其特征在于: A)首先对单晶硅基片进行羟基化处理: 将单晶硅基片置于Pirahan溶液中于90℃下处理1小时,所述溶液H2SO4与H2O2的体 积比为=70∶30,再用去离子水超声清洗后,放在一个防尘装置内在烘箱中干燥; B)将处理后的单晶硅基片浸入硝酸钴溶液和氢氧化钠溶液,再将该混合液和高温高压 水并行流入反应容器,反应温度为300℃; C)取0.015-0.02mol的Co(NO3)2·6H2O,放入烧杯中,加水溶解,在磁力搅拌下先后 滴加聚乙二醇溶液50g·L-1和pH=10的缓冲溶液NH3-NH4Cl各5mL,最后滴加8-15mL H2O2;搅拌30min; D)将此混合液装进容积为100mL内附聚四氟乙烯的不锈钢高压反应釜内,再加入适量 正丁醇使填装度为70%,密封后于200℃下反应20分钟,自然冷却至室温后,将反应物混合 物离心分离; E)将所得的黑色沉淀依次用去离子水和无水乙醇各洗涤3次,80℃干燥8h,得到表面 附有Co3O4薄膜的单晶硅基片。
公开号  101665933
公开日  2010-03-10
专利代理机构  上海东创专利代理事务所(普通合伙)
代理人  宁芝华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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