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一种基于(100)硅片采用双面对穿腐蚀制造薄膜器件结构及方法
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申请号:200910195872.7 申请日:2009-09-18
摘要:本发明涉及一种在(100)硅片上采用双面对穿腐蚀制造的薄膜器件结构及其制造方法。其特征在于硅片正面是具有特定组合结构腐蚀窗口的薄膜器件结构层和功能层,硅片反面是矩形腐蚀窗口;中间是双面对穿腐蚀形成的空腔。关键在于正反两面腐蚀窗口的结构设计及其排布上。正面腐蚀窗口为与<100>晶向成±30度夹角以内、长宽比例范围在5∶1到100∶1以内的狭长条形窗口及其组合,反面腐蚀窗口为边长沿<110>晶向的矩形窗口。双面对穿腐蚀释放薄膜的方法有效减少薄膜器件的制造时间,准确控制释放薄膜的结构尺寸,使器件具有良好的一致性和高的成品率,并显著提升器件的性能,特别适合于热相关的器件。
申请人: 上海芯敏微系统技术有限公司
地址: 200233上海市徐汇区宜山路800号
发明(设计)人: 李铁 许磊 王翊 刘延祥 周宏 王跃林
主分类号: B81B7/02(2006.01)I
分类号: B81B7/02(2006.01)I B81C1/00(2006.01)I G01J5/12(2006.01)I H05B3/00(2006.01)I
  • 法律状态
2013-08-21  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):B81B 7/02申请日:20090918
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种基于(100)硅片采用双面对穿腐蚀制造薄膜器件结构,其特征 在于硅片正面是具有特定组合结构腐蚀窗口的薄膜器件结构层,在该结构层 上根据不同的应用制作不同的功能层;硅片的反面是矩形腐蚀窗口;中间是 双面对穿腐蚀形成的空腔。
公开号  101665231
公开日  2010-03-10
专利代理机构  上海智信专利代理有限公司
代理人  潘振甦
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期