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一种单晶硅棒切方工艺
无权-未缴年费

申请号:200910182701.0 申请日:2009-09-03
摘要:本发明涉及一种单晶硅棒切方工艺,包括下列步骤:选取长度在220~500MM之间,直径在153~160MM之间的单晶硅圆棒并用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上;将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上,编号记录,加磁固定晶托和单晶硅圆棒;校准定位台,设定加工切割参数,开动切方机进行带砂切割;将切割后的半成品脱胶、去除边皮并分离晶托;检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品是否合格。本发明切割效果良好,合格率大幅度提高,极大地提高了机器的工作效率;导向轮间距经过修正后,即使切割中带砂不够,也能保证整个尺寸控制在公差值以内。
申请人: 无锡尚品太阳能电力科技有限公司
地址: 214181江苏省无锡市惠山区前洲洛洲路8号
发明(设计)人: 杜正兴
主分类号: B28D5/04(2006.01)I
分类号: B28D5/04(2006.01)I C09G1/02(2006.01)I
  • 法律状态
2014-10-22  未缴年费专利权终止
IPC(主分类):B28D 5/04
申请日:20090903
授权公告日:20120530
终止日期:20130903
2012-05-30  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):B28D 5/04申请日:20090903
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种单晶硅棒切方工艺,其特征在于:单晶硅棒切方工艺包括如下步 骤: (1)选取长度在220~500mm之间,直径在153~160mm之间的单晶硅 圆棒,将单晶硅圆棒用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上并在常温下冷却,粘 胶温度为380~420℃,单晶硅圆棒的垂直偏差角度在±1.5度以内; (2)将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上,编号记 录,加磁固定晶托和单晶硅圆棒; (3)校准连接定位台,将导向轮间距修正为124.7mm;开动切方机进行 带砂切割,其中,砂浆密度为1.70~1.82g/cm3;砂浆温度为24.5~25.5℃;砂 浆流量为110L/min~130L/min;新线放给量为30m/min;切割平均速度为 580~620m/min;切割速度530um/min (4)将上述切割后的半成品转移到30~35℃温水中放置10~15min后, 再放入58~62℃的热水中进行脱胶,去除边皮并分离晶托; (5)检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品,边长公差在± 0.1mm以内,垂直偏差度在90°±1.5以内;
公开号  101664970
公开日  2010-03-10
专利代理机构  无锡市大为专利商标事务所
代理人  殷红梅
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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