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CMOS差分射频信号幅度检测电路
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申请号:200910177182.9 申请日:2009-09-28
摘要:本发明公开了一种CMOS差分射频信号幅度检测电路,包括由工作在弱反型偏置下的MOS晶体管M1、M2,…MN及滤波电阻R0和电容C0组成。所述MOS晶体管M1、M2,…MN串联相接,由所述电流源I1提供偏置,所述晶体管M1、M2,…MN栅极或漏级分别通过所述电容C1、C2…CN分别与所述射频信号输入正端RFIN+或所述射频信号输入负端RFIN-相连,幅度检测结果通过所述滤波电阻R0和电容C0输出。本发明中MOS晶体管工作在弱反型偏置下时的电流变化服从指数特性,比平方率特性获得更高的幅度检测增益,尤其是在微弱信号检测时,更为明显,同时所需功耗很低近于零功耗;采用多个MOS晶体管串联使得每个MOS晶体管的幅度检测输出串联相加,从而获得N倍的检测增益;同时对于射频输入每个MOS晶体管的输入阻抗是并联的,整体的输入阻抗值减小了N倍,降低了高频信号输入匹配电路Q值的要求,可以实现与射频天线直接相接;采用差分信号输入,易于芯片的集成和减小对芯片封装的要求。本发明特别适用于应用短程通信系统中作为唤醒信号检测及在RFID系统中做微弱射频信号检测。
申请人: 王树甫
地址: 100043北京市石景山区七星园23号楼4门1401
发明(设计)人: 王树甫
主分类号: G01R29/00(2006.01)I
分类号: G01R29/00(2006.01)I G01R29/26(2006.01)I H03K19/0948(2006.01)I
  • 法律状态
2013-08-21  专利权的转移IPC(主分类):G01R 29/00变更事项:专利权人变更前权利人:王树甫变更后权利人:斯凯瑞利(北京)科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100043 北京市石景山区七星园23号楼4门1401变更后权利人:100085 北京市海淀区上地信息路26号中关村创业大厦1014登记生效日:20130801
2012-08-15  授权
2010-11-24  实质审查的生效IPC(主分类):G01R 29/00申请日:20090928
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、CMOS差分射频信号幅度检测电路,其特征在于:所述MOS晶体管M1、M2,…Mn串联 相接,由所述电流源I1提供偏置; 所述MOS晶体管M1、M2,…Mn的数量为1至n个; 所述MOS晶体管M1、M2,…Mn可以是N型MOS管或是P型MOS管,也可以分别是N型 和P型MOS管;MOS晶体管的栅极与漏级相接,构成偏置导通状态;P型MOS管的漏级与地相 连时,需要其栅极串接一电阻与漏级相接。
公开号  101666833
公开日  2010-03-10
专利代理机构  
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颁证日  
优先权  
国际申请  
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