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一种三氯氢硅合成的方法
无权-视为撤回

申请号:200910172331.2 申请日:2009-09-30
摘要:一种三氯氢硅合成的方法,将氯化氢汽化后与硅粉料进入到低压状态进入到三氯氢硅合成炉中;在温度为300~330℃,压力为0.1~0.35MPA进行不间断反应;把伴随反应生成的含三氯氢硅混合气体经进行处理,得到的三氯氢硅与三氯氢硅合成炉中反应后冷冻下来的三氯氢硅输送到精馏塔中进行精馏分离;分离后的三氯氢硅提纯达到含硼小于等于0.05PPB、磷小于等于0.1PPB的三氯氢硅,四氯化硅纯度达到99.99%以上再进入到淋洗塔中。本方法提高转化效率(达到85%)、减少氯化氢处理及排放、减少企业成本、增加企业效益。
申请人: 洛阳世纪新源硅业科技有限公司
地址: 471333河南省洛阳市伊川县水寨镇左寨村
发明(设计)人: 杨海建 张扬 马麟 李占青 刘玉芹
主分类号: C01B33/107(2006.01)I
分类号: C01B33/107(2006.01)I
  • 法律状态
2013-01-16  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C01B 33/107申请公布日:20100310
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/107申请日:20090930
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种三氯氢硅合成的方法,其特征在于: ①汽化:将氯化氢按氯化氢汽化成汽气体; ②供料:硅粉料、氯化氢的混和气进料进入到低压状态进入到三氯氢硅 合成炉中; ③反应:三氯氢硅合成炉中,在温度为300~330℃,压力为0.1~0.35MPa 进行不间断反应; ④除尘:将伴随反应气体出来的硅粉(Si)在除尘设备中接受并进行再 利用,使反应气体进行净化; ⑤吸收:在两级淋洗塔中用四氯化硅(SiCl4)吸收反应气体(主要是氯 硅烷);由于温度很高,必须用两级四氯化硅(SiCl4)淋洗塔; ⑥沉淀:将没有除净的硅粉吸收在氯硅烷溶液中,在沉淀槽中沉淀,排出 进行无害化处理;大部分氯硅烷进入到精馏塔中进行精馏; ⑦精馏:把伴随反应生成的含三氯氢硅混合气体经过处理得到的三氯氢硅 与三氯氢硅合成炉中反应后冷冻下来的三氯氢硅输送到精馏塔中进行精馏分 离; ⑧气体分离纯化:将没有被吸收的反应气体进行冷冻分离,然后用压缩机 进行压缩冷冻分离后的气体,进入到氯化氢(HCl)分离塔中吸收氯化氢(HCl) 气体,最后进行对氢气(H2)的吸附净化; ⑨废气处理:各个没有吸收的、冷却的、事故的气体在尾气吸收塔中进行 吸收处理。
公开号  101665254
公开日  2010-03-10
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