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整修加工反应室组件的方法
无权-驳回

申请号:200910170463.1 申请日:2009-08-26
摘要:本发明公开一种清洁与整修加工反应室组件的方法,包含:将在一外表面具有工艺沉积物的一反应室组件,置于一等离子体气相沉积(PLASMA VAPOR DEPOSITION;PVD)反应室中;以及在足以从上述反应室组件的上述外表面移除上述工艺沉积物的一期间内,以包含氩的一等离子体轰击上述反应室组件。本发明提供的清洁与整修加工反应室组件的方法能够防止组件的氧化且不会造成组件的表面损伤。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹市
发明(设计)人: 邱健宾 郑文正 吴文生
主分类号: B08B9/08(2006.01)I
分类号: B08B9/08(2006.01)I B08B7/00(2006.01)I C23C16/44(2006.01)I C23C16/34(2006.01)I
  • 法律状态
2015-02-25  发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):B08B 9/08申请公布日:20100310
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):B08B 9/08申请日:20090826
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种整修加工反应室组件的方法,包含下列步骤: 将在一外表面具有工艺沉积物的一反应室组件,置于一等离子体气相沉 积反应室中;以及 在足以移除该工艺沉积物的一期间内,以一等离子体轰击该反应室组 件。
公开号  101664746
公开日  2010-03-10
专利代理机构  隆天国际知识产权代理有限公司
代理人  姜燕 陈晨
颁证日  
优先权  2008.8.26 US 12/198,193
国际申请  
国际公布  
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