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铝诱导低温制备大晶粒多晶硅薄膜的方法
无权-未缴年费

申请号:200910145177.X 申请日:2009-10-13
摘要:本发明公开一种用铝诱导在低温下制备多晶硅薄膜的方法,制备的多晶硅薄膜晶粒达100微米以上且表面光滑平整。包括如下过程:(1)在衬底上沉积非晶硅薄膜2;(2)继续生成二氧化硅薄膜;(3)继续沉积铝薄膜,得到衬底/A-SI/SIO2/AL叠层;(4)将衬底/A-SI/SIO2/AL叠层置于真空退火炉中,在惰性气氛保护下,分三步退火;(5)用铝腐蚀液腐蚀去除表面残留的铝。本发明是一种在廉价的衬底上低温制备大晶粒,并且结晶取向和表面粗糙度可控的多晶硅薄膜的方法,在薄膜太阳能电池等领域有广阔的应用前景。
申请人: 南京航空航天大学 江西斯若普能源有限公司
地址: 210016江苏省南京市白下区御道街29号
发明(设计)人: 沈鸿烈 唐正霞 鲁林峰 漆海平 江丰
主分类号: C23C14/06(2006.01)I
分类号: C23C14/06(2006.01)I C23C14/10(2006.01)I C23C14/18(2006.01)I C23C14/35(2006.01)I C23C14/46(2006.01)I C23C14/24(2006.01)I C23C14/58(2006.01)I C30B28/12(2006.01)I
  • 法律状态
2016-12-07  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/06申请日:20091013授权公告日:20110105终止日期:20151013
2011-01-05  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/06申请日:20091013
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种铝诱导低温制备大晶粒多晶硅薄膜的方法,其特征在于包括如下过 程: (1)、衬底经清洗去污后,在其上用物理气相沉积法生长一层非晶硅薄膜,厚 度为100nm至500nm; (2)、将上述非晶硅薄膜置于纯氧气或者空气中生成一层二氧化硅薄膜,温 度范围是200℃至500℃,时间0.5小时至10小时; (3)、在形成的二氧化硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层铝薄膜,厚度为 30nm至100nm,得到衬底/a-Si/SiO2/Al叠层结构; (4)上述第(1)、(3)步所述物理气相沉积法满足以下要求:沉积室的工作真空 度在3.0×10-2Pa至10Pa之间,所用的Si靶或Al靶原材料的纯度均高于99.99%; (5)、将衬底/a-Si/SiO2/Al叠层置于真空退火炉中,在惰性气氛保护下,分三 步退火:第一步,425℃-480℃退火1-10分钟,快速降温至350℃-400℃低温; 第二步,保持在350℃-400℃低温退火60-120分钟;第三步,由350℃-400℃低 温逐步升温至初始的425℃-480℃高温,升温速率为25℃/小时,退火后生成晶 粒尺寸大于100微米的多晶硅薄膜; (6)、用铝腐蚀液腐蚀去除表面残留的铝金属。
公开号  101665905
公开日  2010-03-10
专利代理机构  南京经纬专利商标代理有限公司
代理人  唐小红
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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