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半导体装置的制法、半导体装置的安装方法及安装结构
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申请号:200910142031.X 申请日:2006-03-21
摘要:本发明提供一种谋求提高半导体装置的生产率的半导体装置的制造方法、半导体装置的安装方法及安装结构。在保护膜(4)上,涂抹作为形成突起体(5)的感光性树脂的丙烯酸树脂来形成树脂层。在该树脂层上将具有开口部的掩模定位配置在规定的位置上,进而,通过在掩模上照射紫外线,使在开口部露出的树脂层的一部分曝光。通过紫外线固化树脂,形成上面为平面的圆柱形状突起体(5B)。接着,将紫外线(11)照射在突起体(5B)上,来加热突起体(5B),使形成突起体(5B)的丙烯酸树脂熔解。由于在熔解的树脂上产生表面张力,所以平面的突起体(5B)的上面变形为光滑的曲面。因此,由突起体(5B)形成近似半球形状的突起体(5)。
申请人: 精工爱普生株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 田中秀一
主分类号: H01L21/60(2006.01)I
分类号: H01L21/60(2006.01)I H01L23/488(2006.01)I
  • 法律状态
2011-10-05  授权
2009-12-16  实质审查的生效
2009-10-21  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种半导体装置的安装方法,通过施以加热加压处理并利用接合 材料(25)将半导体装置(1)安装到安装基板(20)上,所述半导体装 置(1)具有:电极(3)、从所述电极(3)突出并由第1树脂形成的凸 部(5)、与所述电极(3)电连接并且覆盖所述凸部(5)的上面的导电 层(6),所述接合材料(25)由第2树脂形成, 所述第1树脂(5)的玻璃转移温度比所述第2树脂(25)的固化温 度高。
公开号  101562143A
公开日  2009-10-21
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  汪惠民
颁证日  
优先权  2005.3.23 JP 2005-084583;2005.3.23 JP 2005-084584;2005.11.29 JP 2005-344647
国际申请  
国际公布  
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