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高端电流检测电路
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申请号:200910093604.4 申请日:2009-10-14
摘要:本发明提供一种高端电流检测电路。该电路是一种对待测晶体管的流过电流进行检测的高端电流检测电路,该电路工作在进行电流检测的第一状态和不检测电流的第二状态下,并且包括:电压跟随电路,使得在第一状态下第一点电压跟随第二点电压变化,其中第二点电压反映待测晶体管的流过电流;电压-电流转换电路,在第一状态下将第一点电压转换为电流并且加以输出;嵌位电路,在第二状态下将第一点电压嵌位在高于地电位的电压。本发明的电路可以用作为高端NMOS电流监测,精度高并且反应速度快。
申请人: 美芯晟科技(北京)有限公司
地址: 100190北京市海淀区中关村紫金数码园3号楼911室
发明(设计)人: 景卫兵 刘柳胜 郑儒富
主分类号: G01R19/00(2006.01)I
分类号: G01R19/00(2006.01)I H02M3/00(2006.01)I H03K19/0175(2006.01)I H03F3/343(2006.01)I
  • 法律状态
2011-07-06  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):G01R 19/00申请日:20091014
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种对待测晶体管的流过电流进行检测的高端电流检测电路,该电路工 作在进行电流检测的第一状态和不检测电流的第二状态下,并且包括: 电压跟随电路,使得在第一状态下第一点(B)电压跟随第二点(SW) 电压变化,其中第二点电压反映待测晶体管的流过电流; 电压-电流转换电路,在第一状态下将第一点电压转换为电流并且加 以输出; 嵌位电路,在第二状态下将第一点电压嵌位在高于地电位的电压。
公开号  101666824
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京亿腾知识产权代理事务所
代理人  陈霁
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期