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基于层状双羟基金属氢氧化物制备单双壁碳纳米管的方法
有权
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申请号:200910092929.0 申请日:2009-09-11
摘要:基于层状双羟基金属氢氧化物制备单双壁碳纳米管的方法,属于纳米材料及其制备技术领域。该方法使用含过渡金属组分的层状双羟基金属氢氧化物作为催化剂前驱体,该前驱体经过预处理获得具有均匀分布的纳米金属颗粒的、可供碳纳米管生长的催化剂;然后进行化学气相沉积,生长出单双壁碳纳米管。该方法简单易行,易于单双壁碳纳米管的大批量制备,推进其工业化应用。
申请人: 清华大学
地址: 100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室
发明(设计)人: 魏飞 张强 赵梦强
主分类号: C01B31/02(2006.01)I
分类号: C01B31/02(2006.01)I
  • 法律状态
2011-03-30  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C01B 31/02申请日:20090911
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种基于层状双羟基金属氢氧化物制备单双壁碳纳米管的方法,其特征在于该方法按 如下步骤进行: 1)将含Fe、Co、Ni、Cu和Mo中的一种或几种的二元、三元或四元层状双羟基金属氢 氧化物作为催化剂前驱体放入反应器中;其中所述层状双羟基金属氧化物片的化学组成通式 为M2+1-xM3+x(OH)2An-x/n·mH2O;其中M2+/M3+比例在1-4,x为M3+/(M2++M3+)的值;m为层 间水的个数;M2+为Mg2+、Ca2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+和Cu2+中的一种或几种,M3+为Al3+、 Co3+、Fe3+和Ru3+中的一种或几种,An-为n价阴离子,对应的阴离子为Cl-、OH-、NO3-、SO42- 和CO32-中的一种或几种,对应的阴离子还包括含Mo或W的同多酸或杂多酸阴离子;所述 的Fe、Co、Ni、Cu或Mo占层状双羟基金属氢氧化物质量的0.1~30%; 2)采用1~20℃/min的升温速率,在载气的保护下将层状双羟基金属氢氧化物升温至预 处理温度,所述的预处理温度为800~1000℃,用氢气、一氧化碳或者CH4进行预处理;预 处理后Fe、Co、Ni、Cu或Mo的纳米颗粒密度为105~108颗/cm2; 3)在800-1000℃的反应温度下进行反应,通入碳源、氢气与载气的混合气体,其中氢 气∶碳源气体∶载气的体积比为0.1~0.5∶1∶0.2~6,反应过程的空速为10~500hr-1,气速 为0.01~0.5m/s,通过化学气相沉积过程,生长得到单双壁碳纳米管。
公开号  101665248
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人  邸更岩
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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