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提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法
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申请号:200910069034.5 申请日:2009-05-27
摘要:一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的P/I界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响,进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征I层而言,即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池,也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本,又降低了污染,同时有效提高电池效率。
申请人: 南开大学
地址: 300071天津市********(隐藏)
发明(设计)人: 张晓丹 孙福和 赵颖 许盛之 王光红 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍
主分类号: H01L31/18(2006.01)I
分类号: H01L31/18(2006.01)I H01L31/02(2006.01)I H01L31/06(2006.01)I C23C16/505(2006.01)I C23C16/46(2006.01)I C23C16/50(2006.01)I C23C16/24(2006.01)I C23C16/30(2006.01)I
  • 法律状态
2014-04-02  授权
2009-12-16  实质审查的生效
2009-10-21  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种提高单室沉积微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池效率的制备方法,其特征在于,在传 统的微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池的制备过程中,在p/i界面引入一层高晶化率的界面层,其 晶化率大于40%。
公开号  101562215A
公开日  2009-10-21
专利代理机构  天津佳盟知识产权代理有限公司
代理人  侯力
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期