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多通道芯片电泳集成纳米微带电极阵列及其制法和用途
无权-未缴年费

申请号:200910035834.5 申请日:2009-09-25
摘要:一种多通道芯片电泳集成纳米微带电极阵列,它是固化的聚二甲基硅氧烷矩形块,在聚二甲基硅氧烷矩形块中埋有一列上、中、下三条宽1±0.1MM、长30-50MM的致密均一的化学镀金属膜条,上、中、下金属膜条之间的间隔为200±20ΜM,上金属膜条距离聚二甲基硅氧烷矩形块顶面为200±20ΜM,下金属膜条距离聚二甲基硅氧烷矩形块底面为1±0.1MM,上、中、下金属膜条的一端的末端通过导电胶粘附导电铝胶带接有导线,另一端暴露出的金属膜条即可作为电极使用。它可以和电泳芯片配合进行芯片电泳的测试。本发明公开了其制法。
申请人: 南京大学
地址: 210093江苏省南京市汉口路22号南京大学科技处
发明(设计)人: 徐静娟 陈邵鹏 吴剑 余晓东 陈洪渊
主分类号: G01N27/447(2006.01)I
分类号: G01N27/447(2006.01)I
  • 法律状态
2016-11-09  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/447申请日:20090925授权公告日:20130213终止日期:20150925
2013-02-13  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/447申请日:20090925
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种多通道芯片电泳集成纳米微带电极阵列,其特征是:它是固化的聚二甲基硅氧 烷矩形块,在聚二甲基硅氧烷矩形块中埋有一列上、中、下三条宽1±0.1mm、长30-50mm 的致密均一的化学镀金属膜条,上、中、下金属膜条之间的间隔为200±20μm,上金属膜 条距离聚二甲基硅氧烷矩形块顶面为200±20μm,下金属膜条距离聚二甲基硅氧烷矩形块 底面为1±0.1mm,上、中、下金属膜条的一端的末端通过导电胶粘附导电铝胶带接有导 线,另一端暴露出的金属膜条即可作为电极使用。
公开号  101666776
公开日  2010-03-10
专利代理机构  南京知识律师事务所
代理人  黄嘉栋
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期