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一种相变化存储器的测试与制造方法
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申请号:200910001340.5 申请日:2009-01-07
摘要:本发明涉及一种相变化存储器的测试与制造方法,包含施加一测试脉冲序列至该装置的一存储单元,而该测试脉冲使得通过该存储单元的电流具有会受到该测试脉冲影响的振幅。量测该存储单元电阻,以响应该测试脉冲序列。由该电阻量测中,筛选一参数集,而其包含至少一数值系数其用来模拟计算该量测电阻与通过该存储单元的电流振幅的相关性。该筛选的数值系数与该存储装置相关,并用来控制工艺的操作。
申请人: 旺宏电子股份有限公司 国际商用机器公司
地址: 台湾省新竹科学工业********(隐藏)
发明(设计)人: 李明修 拉詹德瑞·毕平 林仲汉
主分类号: G11C29/00(2006.01)I
分类号: G11C29/00(2006.01)I
  • 法律状态
2012-08-22  授权
2009-12-16  实质审查的生效
2009-10-21  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种用以测试一集成电路存储装置的方法,该存储装置包含具有一 动态电阻相变化元件的存储单元,包含: 施加一测试脉冲序列至该装置上的至少一存储单元,而该测试脉冲使 得通过该存储单元的电流具有会受到该测试脉冲影响的振幅; 量测该存储单元的电阻以响应该测试脉冲序列; 筛选包含至少一种数值系数的一参数集,而该数值系数用来模拟计算 该量测电阻与通过该存储单元的电流振幅的相关性;以及 建立该参数集与该装置的关连性。
公开号  101562050A
公开日  2009-10-21
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  梁爱荣
颁证日  
优先权  2008.1.7 US 11/970,348
国际申请  
国际公布  
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