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金属硅的精制方法和硅块的制造方法
无权-未缴年费

申请号:200880014009.0 申请日:2008-06-24
摘要:一种金属硅的精制方法,其中准备金属硅,该金属硅含有1000PPM~10000PPM的重量比的铝且硅的浓度为98重量%~99.9重量%;和在压力为100PA~1000PA的惰性气氛中在1500℃~1600℃下加热所述金属硅并保持一定时间。
申请人: 松下电器产业株式会社
地址: 日本大阪府
发明(设计)人: 神山游马 本田和义 筱川泰治 八木弘雅 柳智文 别所邦彦
主分类号: C01B33/037(2006.01)I
分类号: C01B33/037(2006.01)I C23C14/14(2006.01)I C23C14/24(2006.01)I
  • 法律状态
2017-08-11  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/037申请日:20080624授权公告日:20111207终止日期:20160624
2011-12-07  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/037申请日:20080624
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种金属硅的精制方法,其包含下述步骤: 准备金属硅的步骤,该金属硅含有1000ppm~10000ppm的重量比的铝; 和 在压力为100Pa~1000Pa的惰性气氛中在1500℃~1600℃的温度下加 热所述金属硅并保持的步骤。
公开号  101668701
公开日  2010-03-10
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司
代理人  陈建全
颁证日  
优先权  2007.6.26 JP 167135/2007
国际申请  2008-06-24 PCT/JP2008/001627
国际公布  2008-12-31 WO2009/001547 日
进入国家日期  2009.10.28