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光检测装置和具备它的显示装置
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申请号:200880013954.9 申请日:2008-06-12
摘要:本发明提供能够抑制光电二极管间的输出特性的偏差的光检测装置和具备它的显示装置。使用具有有源矩阵基板(20)的显示装置,该有源矩阵基板(20)具有:光透过性的基底基板(2)、多个有源元件和光检测装置。光检测装置具有设置在基底基板(2)的一个主面上的遮光膜(3)、配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)和配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)周边的电极(12)。光电二极管(1)具有硅膜(11),硅膜(11)相对于遮光膜(3)电绝缘。电极(12)相对于遮光膜(3)和硅膜(11)电绝缘。遮光膜(3)被形成为,在基底基板(2)的厚度方向上,其一部分与整个硅膜(11)重叠,这一部分以外的部分与电极(12)重叠。
申请人: 夏普株式会社
地址: 日本大阪府
发明(设计)人: C·布朗 加藤浩巳
主分类号: H01L31/10(2006.01)I
分类号: H01L31/10(2006.01)I G02F1/1368(2006.01)I G09F9/00(2006.01)I G09F9/30(2006.01)I H01L27/146(2006.01)I
  • 法律状态
2012-04-25  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/10申请日:20080612
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种光检测装置,其特征在于: 其包括光透过性的基底基板、设置在所述基底基板的一个主面上 的金属膜、配置在所述金属膜的上层的光电二极管、和配置在所述金 属膜的上层的所述光电二极管周边的电极, 所述光电二极管具备具有半导体区域的硅膜,所述硅膜相对于所 述金属膜电绝缘, 所述电极相对于所述金属膜和所述硅膜电绝缘, 所述金属膜形成为,在所述基底基板的厚度方向上,其一部分与 所述硅膜重叠,所述一部分以外的部分与所述电极重叠。
公开号  101669217
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人  龙淳
颁证日  
优先权  2007.6.21 JP 164283/2007
国际申请  2008-06-12 PCT/JP2008/060772
国际公布  2008-12-24 WO2008/156023 日
进入国家日期  2009.10.28