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光检测装置和具有其的显示装置
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申请号:200880013944.5 申请日:2008-06-12
摘要:本发明涉及光检测装置和具有其的显示装置。提供一种能够抑制光电二极管间的输出特性的偏差的光检测装置和具有其的显示装置。使用具有包括光透过性的基底基板(2)、多个有源元件和光检测装置的有源矩阵基板(20)的显示装置。光检测装置包括设置在基底基板(2)上的遮光膜(3)和配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)。遮光膜(3)形成为在基底基板(2)的厚度方向上与光电二极管(1)重叠。光电二极管(1)具备与遮光膜(3)电绝缘的硅膜(11)。硅膜(11)以沿着面方向邻接的方式设置有P层(11C)、I层(11B)和N层(11A)。P层(11C)的面积(长度LP)形成为比N层(11A)的面积(长度LN)大。
申请人: 夏普株式会社
地址: 日本大阪府
发明(设计)人: C·布朗 加藤浩巳
主分类号: H01L31/10(2006.01)I
分类号: H01L31/10(2006.01)I G02F1/133(2006.01)I G02F1/135(2006.01)I
  • 法律状态
2011-05-18  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/10申请日:20080612
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种光检测装置,其特征在于: 其包括光透过性的基底基板、设置在所述基底基板的一个主面上 的金属膜、和配置在所述金属膜的上层的光电二极管, 所述金属膜形成为在所述基底基板的厚度方向上与所述光电二极 管整体重叠, 所述光电二极管具备相对于所述金属膜电绝缘的硅膜, 所述硅膜设置有在所述硅膜的面方向上邻接的p型半导体区域、 本征半导体区域和n型半导体区域, 所述p型半导体区域的面积形成为比所述n型半导体区域的面积 大。
公开号  101669216
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人  龙淳
颁证日  
优先权  2007.6.21 JP 164284/2007
国际申请  2008-06-12 PCT/JP2008/060773
国际公布  2008-12-24 WO2008/156024 日
进入国家日期  2009.10.28