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半导体晶片的接合方法和半导体装置的制造方法
无权-未缴年费

申请号:200880013924.8 申请日:2008-04-24
摘要:本发明的半导体晶片的接合方法中,使在半导体晶片(210)与半导体晶片(220)之间具有接合层(60),得到层叠半导体晶片(210)和半导体晶片(220)的半导体晶片层叠体(230),该接合层(60)含有具有焊剂活性的固化剂和热固化性树脂;然后,通过一边对半导体晶片层叠体(230)进行加热一边在其厚度方向上加压,使焊锡凸块(224)熔融、固化,并且使上述热固化性树脂固化,从而使半导体晶片(210)和半导体晶片(220)固着,由此,得到连接部(212)和连接部(222)通过连接部(焊锡凸块的固化物)(225)电连接的半导体晶片接合体(240)。
申请人: 住友电木株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 前岛研三 桂山悟 杉野光生
主分类号: H01L21/60(2006.01)I
分类号: H01L21/60(2006.01)I H01L21/02(2006.01)I H01L25/065(2006.01)I H01L25/07(2006.01)I H01L25/18(2006.01)I
  • 法律状态
2016-06-15  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/60申请日:20080424授权公告日:20120718终止日期:20150424
2012-07-18  授权
2010-07-07  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/60申请日:20080424
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体晶片的接合方法,其是层叠第1半导体晶片和第2半导体 晶片使其电连接的半导体晶片的接合方法,其特征在于,具有: 第1工序,该工序准备上述第1半导体晶片和上述第2半导体晶片,上 述第1半导体晶片具有在该第1半导体晶片的厚度方向上贯通设置的多个连 接部,上述第2半导体晶片具有在该第2半导体晶片的厚度方向上贯通设置 的多个连接部和在上述第2半导体晶片的背面侧上与上述连接部的端部连接 的焊锡凸块; 第2工序,该工序使在上述第1半导体晶片和上述第2半导体晶片之间 具有接合层,该接合层作为构成材料含有具有焊剂活性的固化剂和热固化性 树脂,并且对上述第1半导体晶片和上述第2半导体晶片进行定位,以使上 述第1半导体晶片的功能面侧的连接部的端部和上述第2半导体晶片的背面 侧的焊锡凸块相对应,得到上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片层叠 的半导体晶片层叠体;以及 第3工序,该工序通过一边对上述半导体晶片层叠体进行加热一边在其 厚度方向上加压,使上述焊锡凸块熔融、固化,并且使上述热固化性树脂固 化,从而使上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片固着,由此,得到上 述第1半导体晶片的连接部与上述第2半导体晶片的连接部通过上述焊锡凸 块的固化物电连接的半导体晶片接合体。
公开号  101669197
公开日  2010-03-10
专利代理机构  隆天国际知识产权代理有限公司
代理人  菅兴成 吴小瑛
颁证日  
优先权  2007.4.27 JP 119948/2007;2007.5.29 JP 142436/2007;2007.6.11 JP 154250/2007
国际申请  2008-04-24 PCT/JP2008/057934
国际公布  2008-11-13 WO2008/136352 日
进入国家日期  2009.10.27